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第八百九十五章 湿法蚀刻(第2页)

“它确实没有人实现过,但我们讲科学,它从理论上有成功的可能。”

“而且这种可能,也只有我们新科能够实现。”

“哦,这怎么说?”

王中军其实对这个思路还是满意的,确实很难,但有实现的可能。

但要说只有新科能实现,这又凭什么啊?凭胡文海长得帅吗?

“这方面我是有依据的。”

钟大华说的信誓旦旦,王中军明显兴趣更大了。

“在搜索相关文献的时候,我们发现了一个情况。

实际上和美国数据库比起来,方案中需要的数据反而更多来自研究院的数据中心。”

“各种腐蚀液配比的研究资料,近十年来反而是我们自己的研究院数据库更多。”

“其实这并不难理解,因为我们知道,现在集成电路的制程已经进入了亚微米级,湿法蚀刻早就已经不适应需求了。

但在功率半导体上,制程却并不是越小越好。

事实上igct的制程基本都在3微米以上,igbt的制程也是在1到3微米之间。”

“在业界普遍升级干法蚀刻之后,新科作为功率半导体的主要生产商,实际上仍然在大量的采用湿法蚀刻,并且持续多年在湿法蚀刻技术上投资改进升级。”

“由此积累下来的生产和实验资料,早就已经超出了国际先进水平。”

钟大华和王中军并不知道,这就是胡文海带来的超前规划红利了。

igbt是功率半导体,制程上不仅是不需要跟随数字半导体的制程,甚至更小的制程对性能并不更友好。

后世半导体制程都进入10纳米以内了,很多igbt的制程仍然只有0.5微米,这你敢信?

而后世中国的半导体产业,同样仍然有湿法蚀刻的一席之地。

因为市场上绝大多数的芯片,实际上并不需要最先进的制程。

像绝大多数低成本ic、分立器件和微电子机械设备,仍然还是采用湿法蚀刻的。

湿法刻蚀虽然做不了精细活,但自己也是有优点的。

比如说特定的腐蚀剂可以起到专门腐蚀某种材料的作用,只腐蚀材料而不伤害光刻胶、不伤害下层已经形成的结构,这种选择性刻蚀的特性,让它在粗制程下安全性更好,确保不会损伤衬底。

这几年在新科的持续投入下,国内对湿法蚀刻技术已经吃的差不多了,也因此积累了超过业界水平很多的数据资料。

正如钟大华所说,如果要走湿法蚀刻的路线,那新科还真是得天独厚。

王中军最后又看了一眼手上的资料,重重的点了点头。

“行,你等着,我去跟倪院长汇报一下。”

……

嘎吱一声,一辆军车在半导体所大楼前的广场上停了下来,它的后面跟着的是一连串的大客车、小轿车,甚至是吉普车。

“下车,整队!”

一群战士从军卡的后面跳了下来,迅速的排成了整齐的队伍,一个中队长这才转头向王中军跑了过去。

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